Descrizione
Transistor, FET a Canale N.
Tensione nominale: 500V.
Corrente nominale: 50mA.
Dissipazione: 350mW.
Invoplucro: TO-92 plastico, fili tagliati e formati.
P/N:
Deriva >25 °C: 3.3mW / °C.
Fare riferimento al bollettino tecnico per la tensione d'interdizione gate source.
ORIGINALE TOSHIBA
DATASHEET HERE
