Serie di transistori complementari progettati per uso generico statico od in amplificazione.Caratteristiche•Guadagno in corrente − hFE = 20 −70 @ IC = 4 Adc•Tensione di saturazione collettore-emettitore −VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc•Eccellente area di sicurezza operativa•Complementare con NPN MJ3055
